[发明专利]一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 202210327869.1 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114807880B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王亚强;丁佳琪;张金钰;吴凯;刘刚;孙军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C22C30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法，Zr的原子百分比小于15.8at.％，其余为近等原子比的TaWMoCr。在抛光的钢基体和单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层，其中TaWMoCr合金靶采用2个直流电源，Zr靶采用1个射频电源。高真空磁控溅射共溅射制备得到的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层为单相BCC固溶体，具有纳米柱状晶结构，表面形貌为针片状，成分均匀，组织致密，厚度为2.1～2.7μm。Zr的适量加入可以有效提高TaWMoCr高熵合金涂层的力学性能、膜基结合性能以及抗氧化性能，扩展了高熵合金涂层的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 tawmocrzr 难熔高熵 合金 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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