[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210328974.7 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114883296A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 萧远洋;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/522;H01L23/482;H01L23/485;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含半导体基板以及位于有源装置上的内连结构。内连结构包含第一层、位于第一层上的第二层、位于第二层上的第三层以及位于第三层上的第四层。第一穿孔延伸穿过半导体基板、第一层以及第二层。第二穿孔延伸穿过第三层以及第四层，且第二穿孔的底面接触第一穿孔的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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