[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210333140.5 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114758978A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/04;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：A100，在SiC衬底的表面制备外延层后置于预设尺寸Si基载盘；A200，在外延层进行离子注入；A300，在完成离子注入后的外延层的表面制备包覆层；A400，将SiC衬底从Si基载盘分离后，进行高温离子激活工艺；A500，去除包覆层，在外延层的表面沉积制备栅极和介电层、打开接触孔及完成沟槽氧化后，将SiC衬底放置回Si载盘。本发明通过将SiC衬底置于预设尺寸的Si基载盘，可以充分利用现有半导体器件尺寸的加工设备，降低设备更替成本。而且，在半导体器件制备过程中，在涉及到高温操作步骤时，将SiC衬底与Si基载盘分离，避免高温损坏Si基载盘和封止层。本发明的制备方法，操作方便、流程合理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
