[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210335847.X | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114843265A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 宋璐瑶;樊航;吴健;时磊;许曙明 | 申请（专利权）人： | 力来托半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L25/18;H01L21/82;H01L21/50;H02M1/084;H02M1/088;H02M1/44;H02M3/158 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 黎飞鸿;郑纯 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括至少一个第一芯片，该第一芯片包括半导体衬底和形成在该衬底上表面上的有源层、形成在该第一芯片的有源层中的一个或多个横向金属氧化物半导体器件。所述半导体结构还包括设置在该第一芯片的半导体衬底背面的至少一第一集成电容器。该第一集成电容器包括与衬底背面电连接的第一导电层、在第一导电层上表面的至少一部分上形成的绝缘层，以及在绝缘层上表面的至少一部分上形成的第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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