[发明专利]一种准二维蓝光LED器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210336424.X | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114784215A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 白雪;张富俊;张宇;武振南;陆敏;郜艳波 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/54;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 李茂松 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于发光二极管领域，提供了一种准二维蓝光LED器件的制备方法，蓝光准二维LED器件是由准二维钙钛矿薄膜、电荷传输层及金属电极组成，其中准二维钙钛矿薄膜由纯溴基三维钙钛矿加合适长链有机配体构成。本发明在器件制备的过程中，将金属纳米团簇与传统传输层进行混合，调节原有传输层的电学性质，从而实现平衡载流子传输的效果，最终提升了钙钛矿发光器件的性能，具有制备工艺简单和效率高的优点，解决了现有蓝光准二维LED器件效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 led 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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