[发明专利]静电保护SCR器件在审
| 申请号： | 202210336545.4 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114743966A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 范炜盛 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种静电保护SCR器件。静电保护SCR器件包括底层，底层上形成阱区层，阱区层上形成掺杂离子层；阱区层包括横向相邻设置的第一导电类型区和第二导电类型区；掺杂离子层包括位于第一导电类型区位置上的第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区，包括位于第二导电类型区位置上的第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区；掺杂离子层还包括跨接在第一导电类型区和第二导电类型区之间交界处上的第一重掺杂区；位于第一重掺杂区下的第一导电类型区中，或者位于第一重掺杂区下的第二导电类型区中形成第二重掺杂区；第一重掺杂区和第二重掺杂区之间交叠接触形成击穿结。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 scr 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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