[发明专利]半导体器件、制作方法及存储器系统

摘要

本公开提供了一种半导体器件、制作方法及存储器系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括半导体层、位于所述半导体层上的堆叠结构、贯穿所述堆叠结构且与所述半导体层电接触的沟道结构以及贯穿所述堆叠结构且延伸进入所述半导体层的栅线隔离结构；所述堆叠结构包括沿第一方向交替排布的沟道区和隔离区，所述沟道结构位于所述沟道区内，所述栅线隔离结构位于所述隔离区内；位于所述隔离区上且与所述半导体层远离所述堆叠结构的一面接触的源极触点，所述源极触点在所述半导体层上的正投影沿所述第一方向延伸的边缘与所述栅线隔离结构在所述半导体层上的正投影沿所述第一方向延伸的边缘不重叠。