[发明专利]硅片清洗方法及电池在审
| 申请号： | 202210358935.1 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114783857A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 孙林;潘登;陈功兵;杨秀清;闫涛 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（金堂）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘薇 |
| 地址： | 610400 四川省成都市金*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅片清洗方法及电池。该硅片清洗方法中，将硅片依次进行第一水洗、化学清洗、第二水洗和提拉清洗，得到清洗后的硅片；所述化学清洗采用的试剂为碱液或酸液，所述酸液的质量浓度为0.4％～5％，所述酸液的组分包含HF，所述碱液的质量浓度为0.3％～0.9％；所述化学清洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s；硅片包括硅基材及包覆于所述硅基材表面的透明导电薄膜。该硅片清洗方法能在高效去除镀膜硅片表面附着的粉尘或颗粒的同时，不损伤镀膜硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 方法 电池 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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