[发明专利]一种全隔离N型LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210364529.6 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN114883391A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 朱宇彤;孙亚宾;石艳玲;李小进 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种全隔离N型LDMOS器件及其制备方法，所述器件设有双层深度不同的深沟槽隔离结构（DTI）：深度深沟槽结构位于外侧，用于隔离埋层NBL；深沟槽结构位于内侧，用于LDMOS器件的横向隔离，形成全隔离LDMOS器件。制备过程中，双层深度不同的深沟槽结构通过两步刻蚀工艺形成。相比于传统由结隔离构成的全隔离型LDMOS器件，高压情况下，本发明的具有双层DTI结构的全隔离LDMOS器件可以在保证横向击穿电压的条件下大大减少器件的面积，提高集成度，且避免结隔离存在的寄生晶体管开启造成漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学，未经华东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210364529.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
