[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202210376486.3 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114464599B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 林智伟;陈维邦;郑志成 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/08;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；位于基底上的金属层；以及位于所述金属层上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包含依次层叠设置的金属氮化物层、绝缘层与金属氧化物层，金属氮化物层与金属层的粘附性比较好，而金属氧化物层起到刻蚀停止的作用，使得刻蚀可有效停止于所述金属层之前，避免所述金属层过刻蚀而裸露，或者刻蚀不足而组件失效，从而提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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