[发明专利]一种集成异质结二极管的分离栅SiC MOSFET及其制作方法有效
| 申请号： | 202210423252.X | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114664929B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张金平;吴庆霖;陈伟;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种集成异质结二极管的分离栅SiCMOSFET及其制作方法。本发明通过在SiC MOSFET的三维y方向上集成一个异质结二极管，可以在不增加SiC MOSFET元胞宽度的同时，有效的改善寄生体二极管的正向开启压降过大和反向恢复时间过长等问题，并且与内部集成SBD相比，集成的异质结二极管具有更小的正向压降。本发明集成异质结二极管的方式不需要额外增加有源区面积，集成度更高，不会增大JFET区宽度。同时，在JFET区域y方向引入了间隔的P型掺杂区可以改善阻断工作时器件JFET区的电场分布和氧化层内的峰值电场，从而可以在设计时采用浓度更高的CSL层，在不降低器件反向阻断特性的同时，提高器件的正向导通特性，降低器件正向导通时的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 异质结 二极管 分离 sic mosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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