[发明专利]堆叠三维异质存储器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210433957.X | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114725085A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L25/065;H01L21/50;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了三维(3D)存储器件及其制造方法的实施例。例如，3D存储器件包括：SRAM单元和包括第一键合触点的第一键合层。3D存储器件还包括第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：包括DRAM单元的多个DRAM堆叠体和包括第二键合触点的第二键合层。3D存储器件还包括第三半导体结构，所述第三半导体结构包括：NAND存储单元、包括第三键合触点的第三键合层、和包括第四键合触点的第四键合层。第三键合层和第四键合层处于NAND存储单元的两侧。半导体器件还包括在第一键合层和第三键合层之间的第一键合界面。第一键合触点在第一键合界面处与第三键合触点相接触。3D存储器件还包括在第二键合层和第四键合层之间的第二键合界面。第二键合触点在第二键合界面处与第四键合触点相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 三维 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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