[发明专利]一种适用于多芯片失效分析的LPDDR晶圆RDL设计方法在审
| 申请号： | 202210445201.7 | 申请日： | 2022-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN114783900A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张力;廖承宇;何洪文 | 申请（专利权）人： | 沛顿科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 | 代理人： | 徐康 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于多芯片失效分析的LPDDR晶圆RDL设计方法，属于半导体封装领域，包括以下步骤：S1：基于常规LPDDR RDL设计，增加键合焊位；S2：设计封装基板，增加若干用于DIE连接的基板正面金手指；S3：进行封装，并将键合焊位与基板正面金手指连接S4:测量电阻，通过电阻测试判断DIE状态，完成设计。只需要在设计原始RDL布线时候，同步新增如下1条RDL走线即可；围绕DIE四周新增1条不封闭的口字型走线和2个键合焊垫(焊垫开窗位置需寻找合适位置，不影响原始产品RDL布线即可)，通过走线电阻的测量数据来判定DIE是否有开裂，无需专门测试机器，只需要使用万用表或者简易测试设备来测试电阻即可判定多芯片堆叠中存在某一颗DIE开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 芯片 失效 分析 lpddr 晶圆 rdl 设计 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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