[发明专利]用于封装顶部嵌入式多管芯互连桥的剥离的再分布层制造在审
| 申请号： | 202210464618.8 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN115036289A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 史君翰;邱宝文;吴荣发;A.P.阿卢尔;B.马利克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;李啸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的主题是“用于封装顶部嵌入式多管芯互连桥的剥离的再分布层制造”。使用光刻技术在衬底上制造嵌入式多管芯互连桥（EMIB），以及将EMIB与衬底分开并且将EMIB放置在集成电路封装衬底的倒数第二层上、顶部阻焊层下方。EMIB的低Z‑高度考虑了要在封装衬底中采用的、EMIB下方的、有用的迹线和通孔不动产。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 封装 顶部 嵌入式 管芯 互连 剥离 再分 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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