[发明专利]一种利用多晶硅切割废料在低温下制备SiO2 有效
| 申请号： | 202210466287.1 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114790107B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李军成;王蓉;邱锋;李果轩;梁金山;高新泽;魏信霖;管东;钟艺;郭长庆;王睿宁 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C04B35/14 | 分类号： | C04B35/14;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人： | 石晓花 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明属于冶金资源循环利用技术领域，公开了一种利用多晶硅切割废料在低温下制备SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 利用 多晶 切割 废料 低温 制备 sio base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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