[发明专利]高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备在审
| 申请号： | 202210485382.6 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114914304A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;王强;朱小安;刘锡元 | 申请（专利权）人： | 重庆安派芯成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/74;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 钟永翠 |
| 地址： | 401120 重庆市两江新区康*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备，其中，高镇流电阻的LDMOS器件包括：半导体衬底；P型体区，形成于半导体衬底内；N漂移区，N漂移区位于P型体区的内部；源极N注入区及源极P注入区，位于P型体区的内部；源极N注入区和源极P注入区相连；漏极N注入区，漏极N注入区位于N漂移区的内部；漏极N注入区与N漂移区的相邻处的表面上开设有第一接触孔；源极N注入区与源极P注入区相邻处在背离P型体区的一侧面上开设有第二接触孔；第一接触孔和第二接触孔用于接入电能，并与P型体区和N漂移区形成电流通道。本发明技术方案解决了LDMOS器件的ESD能力较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 流电 ldmos 器件 可控硅 电子设备 | ||
【主权项】：
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