[发明专利]一种Micro LED芯片阵列集成结构在审
申请号: | 202210486808.X | 申请日: | 2022-05-06 |
公开(公告)号: | CN114759061A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 管楚云;简弘安;李文涛;顾伟;金从龙;胡加辉 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人: | 彭琰 |
地址: | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种Micro LED芯片阵列集成结构,所述结构包括:由X行Y列的Micro LED芯片所阵列组成的Micro LED芯片阵列;与每一列中X个MicroLED芯片的第一电极连接的Y列第一极性驱动线路;与每一行中Y个Micro LED芯片的第二电极连接的X行第二极性驱动线路;与每一列的第一极性驱动线路连接的Y个第一极性电极;与每一行的第二极性驱动线路连接的X个第二极性电极;及位于第一极性驱动线路和第二极性驱动线路之间的绝缘层。本发明解决了现有Micro LED芯片尺寸过小所导致的转移切割精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 micro led 芯片 阵列 集成 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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