[发明专利]一种掉电记忆存储方法和装置在审

专利信息
申请号: 202210488103.1 申请日: 2022-05-06
公开(公告)号: CN114780041A 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 梁金盛 申请(专利权)人: 佛山市顺德区卓晶电子科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 广州云领专利代理事务所(普通合伙) 44441 代理人: 张莲珍
地址: 528000 广东省佛山市顺德区杏坛镇顺*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种掉电记忆存储方法和装置,包括:当MCU上电时,擦除第一数据存储区的数据,并将MCU当前工作数据写入第一数据存储区;擦除第二数据存储区的数据;所述第一数据存储区和第二数据存储区为MCU内设有的可独立擦除的存储区;当MCU接收到掉电信号时,将MCU当前工作数据写入第二数据存储区。可实现在掉电时只进行数据写入,而数据写入时间很短,故可实现大数据量掉电记忆。即使第二数据存储区所存储的数据不完整,第一数据存储区也完整保存有上一次有效的MCU工作参数,稳定性较好。
搜索关键词: 一种 掉电 记忆 存储 方法 装置
【主权项】:
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