[发明专利]改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法在审
| 申请号： | 202210494666.1 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115064441A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陈彩云;顾珍;黄斌冰;张磊;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，提供衬底，在衬底上形成形成覆盖刻蚀停止层、层间介质层的氮化硅层及位于氮化硅层上的第四氧化层，之后对第四氧化层进行氮化处理；在第四氧化层上形成擦除栅。本发明采用SIN和热氧化层的膜层结构，降低势垒高度，从而使TIN中电子更容易通过，从而实现改善擦除性能。另外优选的，还可以进一步对热氧化层进行氮化，达到进一步改善擦除性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 tin 金属 存储器 结构 擦除 特性 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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