[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202210494817.3 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115528113A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 刘威民;舒丽丽;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置和制造半导体装置的方法，一个实施方式包括一种装置，此装置包括从基板延伸的第一鳍片。此装置也包括第一栅极堆叠其在第一鳍片上方并且沿着第一鳍片的侧壁。此装置也包括第一栅极间隔物其沿着第一栅极堆叠的侧壁而设置。此装置也包括第一源极/漏极区域其在第一鳍片中并且邻近第一栅极间隔物，第一源极/漏极区域包括在第一鳍片上的第一含碳的缓冲层。此装置也包括第一外延结构其在第一含碳的缓冲层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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