[发明专利]集成电路器件和其形成方法在审
| 申请号： | 202210501233.4 | 申请日： | 2022-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN115295507A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 陈志豪;郑博元;王卜;郑礼辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种集成电路器件和其形成方法，器件包括：封装组件，包括集成电路管芯和连接到集成电路管芯的导电连接件，导电连接件设置在封装组件的前侧，集成电路管芯暴露在封装组件的背侧；散热层，位于封装组件的背侧和封装组件的侧壁上；粘合剂层，位于散热层的背侧上，散热层的侧壁的部分不存在粘合剂层；和封装衬底，连接到导电连接件。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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