[发明专利]一种存储器及其制备方法、存储系统在审
| 申请号： | 202210515488.6 | 申请日： | 2022-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN115020219A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘沙沙;高晶;张浩;黄文龙;张文耀;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 熊恒定 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器及其制备方法、存储系统，先在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域。再在堆叠层上形成图案化硬掩模层，该图案化硬掩模层中形成有覆盖第一区域的第一停止层，该图案化硬掩模层包括位于第一停止层上的第一开口图案，以及位于堆叠层上对应第二区域的沟道孔图案。最后基于图案化硬掩模层对堆叠层进行刻蚀，以在第二区域形成沟道孔。第一停止层可以保证第一区域的堆叠层不被刻蚀。在刻蚀堆叠层时，在需要形成沟道孔的区域和不需要形成沟道孔的区域的交界处，可以减少残留物分子聚集在交界处对堆叠层的刻蚀造成影响，进而可以改善第二区域边缘的沟道孔刻蚀工艺，降低刻蚀难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 存储系统 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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