[发明专利]一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构有效
| 申请号： | 202210525778.9 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114628497B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 顾航;高巍;戴茂州 | 申请（专利权）人： | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;H01L27/02;H01L27/07 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明采用分离栅设计，单片集成了栅控二极管；版图上将栅控二极管集成到了每一个MOSFET元胞内部，并且从图形上将栅控二极管与MOSFET的分离栅沟道设计为圆形，以解决分离栅边缘电场集中所带来的可靠性问题。为了获得更高的沟道密度，将MOSFET的外侧沟道从版图上设计成六边形。相对于传统单片集成中将主副器件分别单独布局的方法，本发明的优点在于均匀的将主器件MOSFET和集成器件栅控二极管布置到了整个有源区，使得两种器件都获得更大的有效散热面积，提高了各自的电流能力和鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 二极管 碳化硅 mosfet 版图 结构 | ||
【主权项】：
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