[发明专利]非易失性存储器及其版图结构有效
| 申请号： | 202210526070.5 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114613775B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张有志;胡晓峰;杨洋 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器及其版图结构，所述非易失性存储器包括至少一条字线、至少一条控制栅线和至少一个电性存储位，每个所述电性存储位包括两个存储单元，位于同一所述电性存储位的两个所述存储单元电性连接至同一条字线和同一条控制栅线，如此设置，能够增加非易失性存储器的擦写次数，以及降低电性存储位发生读取电流异常的概率，从而使经过多次擦写后的电性存储位的失效率降低，进而提高非易失性存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 版图 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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