[发明专利]存储装置在审
| 申请号： | 202210526718.9 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN115910158A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 吴银珠;昔浚荣;宋英杰;张炳哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;杨帆 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种存储装置，所述存储装置包括NAND闪速存储器装置、辅助存储器装置和用于控制NAND闪速存储器装置和辅助存储器装置的存储控制器。存储控制器包括处理器、纠错码(ECC)引擎和存储器接口。处理器执行加载到片上存储器上的闪速转换层(FTL)。ECC引擎基于与NAND闪速存储器装置的目标页相关的目标存储器区域的错误属性来生成用于要存储在目标页中的用户数据的第一奇偶位，并且在处理器的控制下针对用户数据选择性地生成附加奇偶位。存储器接口将用户数据和第一奇偶位发送到NAND闪速存储器装置，并且选择性地将附加奇偶位发送到辅助存储器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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