[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202210529991.7 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN115207081A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;喻鹏飞;张克正;杨建伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及制造所述半导体装置的方法，此半导体装置具有不同配置的纳米结构通道区。所述半导体装置包括设置在基板上的鳍式结构、设置在鳍式结构上的纳米结构水平通道(nanostructured horizontalchannel；NHC)区堆叠、设置在NHC区堆叠内的纳米结构垂直通道(nanostructured vertical channel；NVC)区、设置在鳍式结构上的源极/漏极(source/drain；S/D)区，以及设置在NHC区和NVC区未被NHC区覆盖的多个部分和鳍式结构上的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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