[发明专利]一种用于锑化铟单晶片的抛光方法在审
| 申请号： | 202210537943.2 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114800058A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王永净;陈基生 | 申请（专利权）人： | 厦门华芯晶圆半导体有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;B24B51/00;C09G1/02 |
| 代理公司： | 青海中赢知识产权代理事务所(普通合伙) 63104 | 代理人： | 高清峰 |
| 地址： | 361021 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及锑化铟晶片表面处理技术领域，尤其涉及一种用于锑化铟单晶片的抛光方法，包括以下步骤：S1、采用抛光布PV2700，设置抛光压力、转速、抛光液A流量，对锑化铟单晶片于抛光机上进行粗抛光；S2、采用抛光布Suba400，设置抛光压力、转速、抛光液B流量，对锑化铟单晶片于抛光机上进行中抛光；S3、采用抛光布CP，设置抛光压力、转速、抛光液C流量，同时加入稳定剂，对锑化铟单晶片于抛光机上进行中抛光。相比于现有技术，本发明可以在实现对锑化铟晶片的厚度及表面粗糙度的控制基础上，有效地提高抛光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 锑化铟单 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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