[发明专利]用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法在审
| 申请号： | 202210553811.9 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN115437208A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 赵子昂;郑兆钦;汪涵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于EUV光掩模的薄膜包括：第一层；第二层；以及主层，设置在第一层和第二层之间并且包括多个纳米管。第一层或第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。在以上和以下的一个或多个实施例中，第一层包括第一二维材料并且第二层包括第二二维材料。本申请的实施例还涉及用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 反射 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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