[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210555456.9 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115411002A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 大仲崇之;矢野佑树 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L23/10;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够抑制壳体与金属基座之间的粘接所用的粘接剂的润湿扩展，确保将在壳体与金属基座之间产生的间隙填埋所需的粘接剂的高度位置的技术。半导体装置具有：金属基座(1)；绝缘基板(2)，其配置于金属基座(1)之上；半导体元件(4)，其搭载于绝缘基板(2)之上；以及壳体(7a)，其以将绝缘基板(2)及半导体元件(4)的侧面包围的方式粘接于金属基座(1)之上，在金属基座(1)之上的周缘部设置有凸起状的成对的金属氧化膜(8)，壳体(7a)通过在成对的金属氧化膜(8)之间的区域配置的粘接剂(5)而粘接于金属基座(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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