[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210557085.8 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115763365A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 刘国安;涂文琼;萧远洋;林启德;黄镇球;吴志强;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本发明的半导体结构包括多个晶体管、电耦接至多个晶体管的互连结构、设置在互连结构上方并且与多个晶体管电隔离的金属部件、设置在金属部件上方的绝缘层以及设置在绝缘层上方的第一再分布部件和第二再分布部件。第一再分布部件和第二再分布部件之间的间隔设置在金属部件的至少部分正上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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