[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202210557129.7 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115411110A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 林振华;季彦良;冉景涵 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 朱砚耘 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体基板，具有阱区；栅极结构，形成于该半导体基板的阱区上方，其中该栅极结构具有第一侧壁以及与该第一侧壁相对的第二侧壁；栅极间隔结构，包括分别覆盖该栅极结构的该第一侧壁和该第二侧壁的两个非对称部分；以及源极区与漏极区，形成于该半导体基板中，其中该源极区与该漏极区分别与该栅极间隔结构的两个非对称部分的外边缘对齐，其中，该漏极区与该栅极结构之间的横向距离大于该源极区与该栅极结构之间的横向距离。本发明的上述方案使得半导体装置拥有较大的耐压能力，提高了半导体装置的高压能力，提升了半导体装置的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210557129.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
