[发明专利]半导体器件及其制备方法和三维存储器系统在审
| 申请号： | 202210559911.2 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN115036290A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张中;王迪;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法和三维存储器系统，半导体器件包括：堆叠结构，包括沟道结构部和字线部，所述沟道结构部包括交替层叠的电介质层和栅极层；以及多个自对准接触结构，在所述字线部中分别延伸至不同的预定深度，并且分别与所述沟道结构部中相对应的栅极层电接触；其中，在所述电接触区域与所述沟道结构部的电介质层之间设置有高介电常数材料。本申请的半导体器件提高了电气安全性和器件结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 三维 存储器 系统 | ||
【主权项】：
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