[发明专利]存储器在审
| 申请号： | 202210583508.3 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115020411A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 林超 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;王黎延 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开一种存储器，包括至少两个存储阵列，沿第一方向设置；存储阵列包括沿第二方向设置的多个存储单元行，沿第三方向设置的多个存储单元列，多条第一导电线和多条第二导电线；第一方向、第二方向和第三方向互相垂直；存储单元行包括沿第三方向设置的多个存储单元，存储单元列包括沿第二方向设置的多个存储单元，存储单元包括晶体管；多条第一导电线，沿第三方向间隔设置，耦接存储单元行的晶体管的栅极；多条第二导电线，沿第二方向间隔设置，耦接存储单元列的晶体管的源极；第一外围电路，位于沿第一方向设置的两个存储阵列间，耦接第一导电线；第二外围电路，位于沿第一方向设置的两个存储阵列间，耦接第二导电线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
