[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210583532.7 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115020375A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘佑铭;肖德元 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；多条间隔排布且沿第一方向延伸的位线，所述位线位于所述基底内，所述位线包括交替间隔排布的第一位线和第二位线，且所述第一位线与所述第二位线在沿所述位线的厚度方向上相互错开；在所述基底上间隔排布的多个半导体柱，所述半导体柱与所述位线相对应，且所述半导体柱底面与相应的所述位线表面相接触。本公开实施例至少有利于降低相邻位线之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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