[发明专利]中心注入P+屏蔽区的分裂栅平面MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202210583804.3 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN114678277B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈显平;钱靖 | 申请（专利权）人： | 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 周倩 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种中心注入P+屏蔽区的分裂栅平面MOSFET及其制造方法，其中方法包括：N型衬底，在N型衬底的上表面生长N型外延层；在N型外延层上离子注入JFET区；在N型外延层上离子注入P‑body区；在两个P‑body区上分别离子注入第一P+区；在两个P‑body区上分别离子注入N+区；在部分P‑body区、部分N+区和和部分JFET区的上方刻蚀栅氧化层；在栅氧化层上刻蚀多晶硅栅极区；在栅氧化层上刻蚀包围多晶硅栅极区的绝缘层结构；在绝缘层结构上刻蚀中心注入孔，通过中心注入孔在JFET区离子注入位于其中心的第二P+区；金属溅射欧姆接触区；在绝缘层结构和欧姆接触区的上方金属淀积刻蚀第一金属层；在N型衬底下表面的欧姆接触区金属溅射淀积第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 中心 注入 屏蔽 分裂 平面 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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