[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210585531.6 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115662991A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 赵珉熙;柳民泰;柳成原;李元锡;朴玄睦;李基硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的导电线；在导电线上的第一栅电极；在第一栅电极上通过栅极隔离绝缘层分隔开的第二栅电极；在第一栅电极的侧表面上的第一沟道层，并且第一栅极绝缘层在它们之间；在第一栅电极的另一侧表面上的第一源极/漏极区；第二沟道层，在第二栅电极的在与第一沟道层相反的一侧的另一侧表面上并且第二栅极绝缘层在它们之间；在第二沟道层上的第二源极/漏极区；以及第三源极/漏极区，在第一沟道层上以及在第二栅电极的与第一沟道层在同一侧的侧表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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