[发明专利]平面型SiCMOSFET器件的元胞制备方法及结构在审
| 申请号： | 202210585557.0 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN114864386A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 袁述;黎力;苗青;李凯;江明璋 | 申请（专利权）人： | 江苏中科汉韵半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/266;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市徐州经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法及结构。其包括如下步骤：步骤1、提供具有SiC晶片，并制备一第二导电类型层；步骤2、制备注入第一遮挡体；步骤3、在第二导电类型层内形成若干所需的第一类型注入区；步骤4、制备所需的注入第二遮挡体；步骤5、制备得到第一导电类型连接区，以通过第一导电类型连接区以及所述第一导电类型连接区正上方的第一导电类型注入区使得所述第一导电类型连接区两侧的第二导电类型层隔离；步骤6、去除上述注入第二遮挡体，并进行所需的正面元胞工艺，以制备得到所需的平面元胞。本发明能避免沟道处由注入带来的损伤，在提升沟道迁移率的同时又增强了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 sicmosfet 器件 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科汉韵半导体有限公司，未经江苏中科汉韵半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210585557.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
