[发明专利]一种气相生长制备枝杈状CsPbBr3

摘要

本发明公开了一种气相生长制备枝杈状CsPbBr3纳米晶薄膜的方法，首先通过反溶剂法制备出作为前驱体的CsPbBr3单晶，然后将其置于管式炉的加热区，同时将衬底置于载气下游，加热区间外的冷却区域，待管式炉温度稳定后将衬底推入加热管中，并且保持距离前驱体12～15cm的位置，然后维持管内温度继续反应，制得枝杈状CsPbBr3纳米晶薄膜。本发明制备得到的枝杈状CsPbBr3纳米晶薄膜中CsPbBr3为立方相，相比传统液相方法，没有分相问题，无有机配体使用，理论上具有更高的比表面积，同时该枝杈状CsPbBr3纳米薄膜还具有较好的稳定性，可放置于空气中1个月以上，保留原XRD峰不变。