[发明专利]一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺在审
| 申请号： | 202210610309.7 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114975688A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 钱小芳;徐建华;彭小江;范琼;路忠林;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 徐晓鹭 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，所述工艺包括以下过程：将经过SE激光掺杂后的硅片插入石英舟后送入低压热氧化炉中；调整炉内温度、压力、氧气流量、氮气流量参数，通入磷源POCL3，在硅片表面形成一层致密的二氧化硅SiO2薄膜。本申请了一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，可以修复硅片表层的晶格缺陷并钝化表面悬挂键，增加硅片表面掺杂量，有利于降低电池片银硅接触电阻及横向传导电阻，从而使电池片串联电阻降低，提升转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 太阳能电池 氧化 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
