[发明专利]一种半导体结构以及半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202210614395.9 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115064513A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 施生巍;罗兴安;张育龙;张莉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体结构以及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：器件层；第一介质层，位于所述器件层上；导电层，位于所述第一介质层内；刻蚀停止层，位于所述第一介质层以及所述导电层的表面；第二介质层，位于所述刻蚀停止层上；以及接触金属，贯穿所述第二介质层以及所述刻蚀停止层，与所述导电层导电连接；其中，所述刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层以及第二刻蚀停止层。本公开的刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层，以改善所述导电层表面产生孔洞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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