[发明专利]碳化硅VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202210620587.0 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114975313B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 赵志 | 申请（专利权）人： | 上海晶岳电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/467;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海塔科专利代理事务所(普通合伙) 31380 | 代理人： | 谢安军 |
| 地址： | 200241 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了碳化硅VDMOS器件及其制作方法，包括壳体和设置于所述壳体内部的VDMOS器件本体，所述VDMOS器件本体包括衬底，所述衬底的一侧开设有第二凹槽，所述第二凹槽的数目为两组，两组所述第二凹槽内部分别嵌有源极和漏极，所述源极、所述漏极均与所述衬底形成有PN结，所述衬底的一侧固定连接有二氧化硅板。本发明中一组格栅本体中第一挡板与另一组格栅本体中第二挡板的接缝处形成迷宫结构，从而能够使格栅本体在对壳体内部VDMOS器件本体进行散热的过程中起到良好的防尘效果，避免在散热的过程中有较多的灰尘进入壳体内部导致VDMOS器件本体损坏的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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