[发明专利]一种PECVD反应装置在审
申请号: | 202210622680.5 | 申请日: | 2022-06-01 |
公开(公告)号: | CN114959660A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 孙文彬;刘龙龙 | 申请(专利权)人: | 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 226400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种PECVD反应装置,涉及半导体技术领域。PECVD反应装置包括托盘组件、支撑盘、真空反应腔体、传动组件以及旋转升降机构。托盘组件和支撑盘均设置于真空反应腔体内,真空反应腔体为真空密封腔体,支撑盘用于承载晶圆,托盘组件用于对承载于支撑盘上的晶圆进行加工。传动组件的一端进入真空反应腔体并与支撑盘连接,另一端与旋转升降机构连接,旋转升降机构用于带动支撑盘进行升降和旋转运动。因此,本发明提供的PECVD反应装置采用模块化设计,整体结构简单,升降和旋转控制简单,加工效率高,能够精准且稳定地输送晶圆,从而提高晶圆加工工艺的均匀性及稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 反应 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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