[发明专利]可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置在审
| 申请号： | 202210628730.0 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN114700857A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 吴龙军 | 申请（专利权）人： | 徐州领测半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B27/033 | 分类号： | B24B27/033;B24B41/06;B24B41/02;B24B27/00;B24B57/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 杭州航璞专利代理有限公司 33498 | 代理人： | 贾甜甜 |
| 地址： | 221400 江苏省徐州市新沂*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，包括：基座、机架、上抛光机构、下抛光机构、端面抛光机构、用于吸附固定半导体晶圆的吸盘和用于驱动吸盘转动从而带动半导体晶圆转动的旋转电机；机架固定至基座的上方；上抛光机构和端面抛光机构安装至机架；下抛光机构和旋转电机安装至基座；吸盘的直径小于半导体晶圆的直径；半导体晶圆位于吸盘上且吸盘吸附半导体晶圆的中部；可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置具有端面抛光状态和边缘抛光状态。本发明的有益效果是：可以在局部抛光过程中，完全去除正反两面的环形氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 完全 去除 环形 氧化 半导体 抛光 装置 | ||
【主权项】：
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