[发明专利]一种硅片切割原料处理方法、系统、介质及设备有效
| 申请号： | 202210628736.8 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN114701083B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 徐志群;汪奇;付明全;孙彬;陈义坤;马腾飞 | 申请（专利权）人： | 广东高景太阳能科技有限公司;青海高景太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B28D5/00;B28D7/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 牛丽霞 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片切割原料处理方法、系统、介质及设备。该方案包括对硅片的表面进行图像采集，并根据采集到的表面图像，获得所述硅片的表面光滑度和所述硅片上设定的实时测量点的灰度值；根据所述表面光滑度和所述实时测量点的灰度值，计算最大线痕深度；根据所述实时测量点的横纵坐标，计算线痕长度和线痕宽度；根据所述最大线痕深度和所述线痕宽度计算循环次数；根据所述线痕长度和所述线痕宽度计算颗粒大小修正值；根据所述循环次数和所述颗粒大小修正值对所述硅片进行表面处理，以完成硅片切割。本发明方案中，对原料来料进行表面处理，进而进行部分分离和循环料清洗，提升硅片的清洗使用率，降低成本，保障原料品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 切割 原料 处理 方法 系统 介质 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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