[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210628825.2 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115706149A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 金奇奂;柳廷昊;李峭蒑;全勇昱;曺荣大 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨帆;田野 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，具有锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括磷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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