[发明专利]半导体结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210630628.4 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115188672A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 张卫民 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构及制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，在所述衬底内设置有阱区，在所述衬底表面设置有栅极结构，所述阱区与所述栅极结构重叠的区域构成沟道区；在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙；在所述栅极结构两侧暴露的阱区表面形成抬高层；在所述阱区及所述抬高层中形成轻掺杂区；在所述第一间隔物侧墙侧壁形成第二侧墙，所述第二间隔物侧墙还覆盖所述抬高层的部分表面；在所述抬高层暴露的表面及所述阱区对应区域中形成源漏区。所述制备方法形成的半导体结构能够降低短沟道效应的影响，减小漏电流，从而改善半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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