[发明专利]一种半导体工艺炉及其装卸载腔室的控氧控压方法在审
申请号: | 202210685712.6 | 申请日: | 2022-06-17 |
公开(公告)号: | CN115101443A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 郑旺军;王凯;李胜辉 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F27B17/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 李潇 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种半导体工艺炉及其装卸载腔室的控氧控压方法,在对装卸载腔室开始控氧时,控制阀门以预设第一角度开启,并控制气体流量调节器以预设第一气体流量向装卸载腔室内输送控氧气体;获取检测装置检测到的装卸载腔室内的氧含量及其内的压力值;在氧含量达到预设目标氧含量后,以氧含量达到目标氧含量,且压力值在预设正压安全范围内为调节目标,调节气体流量调节器输送的气体流量和阀门的开启角度,以满足调节目标。可见,本申请可控制装卸载腔室内的氧含量,以使氧含量达到工艺要求;同时,可控制装卸载腔室内的压力值,以使装卸载腔室保持微正压,微正压可以有效阻止外界空气进入装卸载腔室,从而保证氧含量控制效果,提升加工质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 工艺 及其 装卸 载腔室 控氧控压 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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