[发明专利]一种碳基材料表面单相SiC保护涂层的制备方法在审
| 申请号： | 202210686003.X | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115160022A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 顾正彬;楼建军 | 申请（专利权）人： | 常州翊翔炭材科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人： | 张经纶 |
| 地址： | 213000 江苏省常州市武进*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及碳化硅保护涂层技术领域，本发明公开了一种碳基材料表面单相SiC保护涂层的制备方法，按比例称量单相高纯SiC、Si和石墨三种粉末，以及分散剂KD‑1和增塑粘结剂PVA，然后加入溶剂无水乙醇，再利用球磨机进行球磨混合处理24‑48小时，球磨后的浆料在真空状态下通过磁力搅拌器除泡处理1小时，处理后浆料涂覆于碳基材料试件表面，涂覆厚度50‑100μm，将涂覆后的试件放置于干燥箱，干燥温度100°C，时间不少于12小时，将所获试件在1600‑1800°C、Ar气氛下煅烧2小时，得到相对致密且单相SiC涂层。本发明制备过程无复杂工艺、成本低、效率高，涂层致密、厚度可控、无杂质，可适应于对涂层灰度、杂质要求苛刻的工作环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基材 表面 单相 sic 保护 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州翊翔炭材科技有限公司，未经常州翊翔炭材科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210686003.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
