[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接后的碳化方法在审
| 申请号： | 202210688205.8 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115182053A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 黄四江;王美春;沙智勇;刘得伟;尹归;杨海平;殷云川 | 申请（专利权）人： | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36;C30B33/06 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 677000 云南省临沧市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于碳化硅单晶生长前处理领域，具体公开一种碳化硅籽晶粘接后减少空腔的碳化方法，（1）把高纯石墨板放在井式炉炉底，然后再把石英筒放置在石墨板上；（2）把粘接好籽晶的石墨台放置到石英筒内，在石墨台上的籽晶上放置一张圆形石墨纸作为缓冲层，再往上面放置压铁；（3）启动井式炉真空泵，进行10‑30min的抽气，（4）打开进气孔阀门，以0.1‑0.3MPa的流量通入氩气然后开始加热；（5），以30%的漏率抽真空，开启井式炉底部的加热电阻丝进行加热，加热程序设定为3‑6h加热到碳化温度400‑600℃，在碳化温度保温0.5‑2h后结束加热，并让其自动降温到室温；本发明通过利用底部的电阻丝加热，中间气泡和有机胶中挥发物排出完全，长出的晶体表面光滑平整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 籽晶 粘接后 碳化 方法 | ||
【主权项】：
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