[发明专利]一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备在审
| 申请号： | 202210702713.7 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115188684A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 陈世隐;肖国兵;周福海;余俊华;关文武;赵思;唐先俊;詹喜录;尹建刚;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族微加工软件技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/78;B28D5/04;B28D7/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备，所述检测晶圆断裂的方法包括获取切割轨迹；选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准；获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X；获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；判断晶圆是否断裂；若Ln大于或等于X，则断裂；若Ln小于X，则未断裂。本申请实施例采用先沿切割轨迹切割获取晶圆被切断临界时的对比基准间的距离X，将X作为沿切割轨迹切断晶圆的标准，然后获取沿切割轨迹切割晶圆后的对比基准间的距离Ln，然后将Ln与X进行对比来判断对应切割后的晶圆是否断裂，若Ln大于或等于X，则断裂；若Ln小于X，则未断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 断裂 方法 切割 装置 以及 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族微加工软件技术有限公司，未经大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族微加工软件技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210702713.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
